廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024-20230年）》（附件見下方鏈接）。

其中提出，力爭到 2030 年取得 10 項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造 10 個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育 10 家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè) 10 個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

方案提到，加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電光拓?fù)湎嘧儾牧稀⒐饪棠z、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。

推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。

支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。

方案還提到，省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān)。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的“卡點(diǎn)”“堵點(diǎn)”問題。

附件：《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024-20230年）》